CT-1-5 高周波パワー用Si-LDMOSデバイス技術(CT-1.移動体通信を支える化合物半導体デバイス,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)

  • 山根 正雄
    ルネサステクノロジ システムソリューション第2事業部

書誌事項

タイトル別名
  • CT-1-5 Si-LDMOS device technology for RF power amplifier

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説明

近年、携帯電話の市場が増大してきた。特に、ここ10年の進展は大きいものであった。従来の単機能の携帯電話からバンドの増大、方式の高度化、ユーザーソフトの多様化、それらの複合化が進んできた。特に最近では、アプリケーションソフトの携帯電話への内蔵化が進んだ結果、RF部分にかけられる実装面積とコスト比率、消費電力は、どんどん縮小してきている。これらの市場要求に応えるために、RFパワー増幅器(HPA)の小型・低コスト・高効率化が推進されてきた。ルネサス(旧日立製作所)では、Si-LDMOSを用いたHPAモジュールをメインに技術開発を進めてきた。これまでに進めてきたLDMOSデバイス技術について、概説する。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570009752325157504
  • NII論文ID
    110006216085
  • NII書誌ID
    AN10471452
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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