酸化膜CMPにおけるウエハ温度の in situ モニタリング

被引用文献1件

書誌事項

タイトル別名
  • Simultaneous Temperature Measurement of the Wafer in Chemical Mechanical Polishing in the Dielectric
公開日
1994
公開者
一般社団法人電子情報通信学会

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説明

酸化膜CMP(Chemical Mechanical Polishing)において研磨中のウエハ温度をin situ測定した.研磨定盤,研磨剤ともに8℃に冷却して研磨を行うと,ウエハ温度は10-20℃に上昇する.ウエハに温度分布が存在すると研磨量の均一性に影響を与えた.また,ウエハ温度は加工圧力に比例して上昇し,研磨速度も増加した.加工圧力が高いと,研磨剤とウエハ表面との反応が促進され,ウエハ温度が上昇すると考えられる.硬度の異なる研磨パッドで研磨を行ったところ,ウエハ温度と研磨速度がよい直線関係にあり,ウエハ温度が5℃異なると研磨速度は2倍変化することが分かった.

収録刊行物

  • 信学技報

    信学技報 94 (8), 1-, 1994

    一般社団法人電子情報通信学会

被引用文献 (1)*注記

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570009752531154944
  • NII論文ID
    110003310220
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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