シリコンへのリンとボロンの同時注入によるリンの拡散の抑制

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タイトル別名
  • Reduction of diffusion of phosphorus implanted in silicon by simultaneous boron implantation

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説明

シリコンにリンとボロンを二重イオン注入した後、950℃で30〜300分間熱処理すると、リンはボロンと複合体を形成し、リンは電気的に不活性化し、かつりンの拡散は抑制された。電気的活性化と拡散の抑制は、一緒に注入されたボロンの量とリンイオンの注入分布に対してボロンイオンの注入分布の位置に依存した。すなわち、リン原子の活性化と拡散の抑制の効果は、リンとボロンのイオンの注入分布が重なっている場合と、リンよりボロンの注入分布が深い位置にある場合に顕著であった。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570009752536232576
  • NII論文ID
    110003309822
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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