TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討

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タイトル別名
  • The Examination of Validity of the Effective Chanel Length Extraction Method with TCAD

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説明

MOSデバイスの実効チャネル長を決定するパラメータΔLはデバイスのパフォーマンスを左右する大きな要因である.ΔLはプロセスモニタのE-Tデータ[5]としても用いられる.抵抗ベースの抽出法では外部抵抗がゲート電圧により変調されるため, ΔLはゲート電圧依存性をもつ.MOSデバイスの微細化に伴い, LDD構造などが採用されると, ますますΔLのゲート電圧依存性は大きくなる.容量ベースのΔL抽出法でもLDD構造では同じようにΔLはゲート電圧依存性をもつ.このため, 冶金学的なΔLのようにデバイスに対して一対一に対応するものを抽出することは難しい.今回, ゲート電圧に依存したΔLの極大値を採用する手法を示した.この手法は抽出するゲート電圧を事前に決定する必要がなく抽出条件を一意に決定できるので, プロセスモニタに用いるΔLを抽出するのに有効である.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570291227426436224
  • NII論文ID
    110003200588
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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