貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価

書誌事項

タイトル別名
  • Structural Characterization of a Bonded Silicon-on-Insulator Layer with Voids

この論文をさがす

説明

貼り合わせSOIウェーハのボイド領域を、顕微マラン分光法と非接触光導電率(LBIC)測定法により評価した。ラマン分光測定では、ボイドの境界部に低波数側へのピークシフトの幅の広がりが観測されたが、ボイド内部では観測されなかった。シフトと幅の広がりの相関より、いずれもが結晶性の乱れによって生じていることが示された。LBIC測定では、境界において信号強度が最低となった。LBIC信号強度の減少は、再結合中心の増加を意味している。これら二つの結果より、ボインド境界部に集中して欠陥が存在していることが明らかになった。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570291227514063744
  • NII論文ID
    110003309978
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ