高集積DRAM構造の検討
書誌事項
- タイトル別名
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- A study of memory cell for high density DRAM
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説明
大容量DRAMメモリセルアクティブ領域レイアウトとしてガルウイングレイアウトを採用し、アイソレーション特性を評価した。ウエハでは電気的に極めて厳しい条件でアイソレーションを評価するとCOP起因のアイソレーション特性の問題が発生する。これがCOP周囲のLOCOS酸化膜形成に影響をおよぼすためと推定される。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 (240), 39-44, 1997-08-26
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570572702489172864
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- NII論文ID
- 110003309434
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles