ポリメチル及びポリビニルシルセスキオキサン薄膜の調製と物性

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タイトル別名
  • Preparation and physical properties of polymethyl- and polyvinylsilsesquioxane thin films

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説明

RSi(OMe)_3の酸加水分解・重縮合により分子量の異なるポリシルセスキオキサンを合成した。これから厚さ0.02-0.10 mmの柔軟な独立膜を調製し、その引っ張り強度を測定した結果、シロキサン結合の架橋度(T3/(T2+T3))に依存していることがわかった。一方、ポリシロキサンのアセトン-メタノール溶液で金属、セラミック、高分子基板をディップコーティングすることにより、サブミクロンのコーティング膜が調製できた。この接着力や硬度をJIS規格にしたがって評価した結果、金属やセラミック基板は条件によらず評価は最高値を示し、高分子基板ではポリシロキサンの分子量と加熱硬化時間に依存すること、また500℃まで加熱しても評価は最高値を示し、耐熱性も高いことなどがわかった。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570572702489699584
  • NII論文ID
    110003300547
  • NII書誌ID
    AN10013334
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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