C-10-13 モンテカルロ物理デバイスシミュレータによる0.1μmゲートInP-HEMTの解析(2)(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
書誌事項
- タイトル別名
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- C-10-13 Analysis of 0.1μm-Gate InP-HEMT by Physics-Based Device Simulator Employing Monte Carlo Technique(2)
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
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電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2005 (2), 67-, 2005-09-07
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570854176989804416
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- NII論文ID
- 110004744754
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- NII書誌ID
- AN10489017
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles