TTF-TCNQ錯体薄膜の組成・配向制御と電気物性評価

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タイトル別名
  • Control of Molar Ratio and Molecular Orientation in TTF-TCNQ Charge-Transfer Complex Films and thier Electrical Properties

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説明

共蒸着法を用いて, 成長基板温度と各蒸発源供給量を変化させたTTF-TCNQ電荷移動錯体薄膜を作製し, そのモル組成比, 導電率, 電荷移動量について評価した. モル組成比が1:1となる成長基板温度領域が存在し, その組成比に対応した導電率変化が見られた. また, 基板表面方向に電界を印加しながら作製した共蒸着膜は, その導電率と電荷移動状態に変化を起こすことが明らかとなった.

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177465716736
  • NII論文ID
    110003300719
  • NII書誌ID
    AN10013334
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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