450℃超低温接合形成のためのメタル汚染低減イオン注入技術

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タイトル別名
  • Ion Implantation Technology By Eliminating Metal Sputtering Contamination For Forming 450℃-Annealed,Ultra Shallow Junctions

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説明

超高真空、超高純度ガス供給系を有するイオン注入装置を用いて、イオン注入時に、高エネルギーイオンビームのスパッタにより装置内から発生する金属不純物が、pn接合逆方向リーク電流に与える影響を明らかにした。また、この金属不純物は、従来考えられていたビームライン側からのみならず、シリコンウェハ後方からも発生していることをはじめて実験的に明らかにし、これらを抑えることにより450℃という超低温で、低リーク電流の60nmの極浅接合形成を可能にした。この技術を応用して製作した自己整合アルミニウムゲートMOSFETの動作性能に関し評価した結果についても報告する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177466367232
  • NII論文ID
    110003309886
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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