915nm半導体レーザーの高出力化における窓構造とその特性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)

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タイトル別名
  • Characteristics of Window-Structured 915 nm High Power Laser Diodes

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説明

IFVD (Impurity-Free Vacancy Disordering)法によって窓構造を形成した915nm高出力半導体レーザーについて報告する.窓構造を適切に形成することで,出力15W動作における信頼性を確認した.窓領域およびゲイン領域のバンドギャップ差とデバイスの信頼性との関係についても述べる.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177874072576
  • NII論文ID
    110009806245
  • NII書誌ID
    AN10013243
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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