Radical Fluxes in Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon

  • 張 梅
    大阪府立大学工学部電子物理工学科
  • 中山 喜萬
    大阪府立大学工学部電子物理工学科

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説明

電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマCVDにおけるa-Si:H形成に寄与するラジカル種について,トレンチ上に形成した膜形状から調べた.気相中でSiH4の電子衝突解離により作られたラジカルで形成される膜形状をモンテカルロ法により計算機シミュレーションした.ただし,Si,SiHおよびSiH_2のラジカルの付着係数を0.8,SiH_3ラジカルのそれを0.1とした.実験結果とシミュレーションの比較から,基板に至る[SiH_x]_x=0-2>の全フラックスとSiH_3のフラックスが等してことが明らかになった.また,ノズルから噴出したSiH_4が持つ運動方向のラジカルフラックスとランダムな運動向方を持つラジカルフラックスの割合についても検討した.
The precursors of a-Si:H films in electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition have been investigated by analyzing the deposition profile on a trench.The profile of the film prepared from radicals produced in the gas phase by electron collision with SiH_4 is simulated by a Monte Carlo method using a sticking probability of 0.8 for Si,SiH and SiH_2 radicals and of 0. 1 for SiH_3 radicals.A comparison between the experimental result. and the simulation has shown that the ratio of the total flux of [SiH_x]_x=0-2> of radicals which keep the momentum of SiH_4 emitted from the nozzle is also compared with that of radicals with a random direction of momentum.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571417127414724608
  • NII論文ID
    110003310243
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    en
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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