Operating Characteristics of CMOS Charge-Pumping Circuit

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  • CMOSチャージポンプ回路の動作特性

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基板電圧発生のためのCMOSチャージボンプ回路を提案する。この回路は、ボシピシグトラシジスタによる電圧損失が少がいため、ほぼ電源電圧レベルに近い負電圧を発生できる。また、H-SPICEを用いてこの回路の動作特性について検討し、有用な結果を得たので報告する。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1571980077318194432
  • NII Article ID
    110003354490
  • NII Book ID
    AN10489017
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • CiNii Articles

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