Measurement of Charge-Pumping current in a Flash EEPROM device

  • Yamamoto katsumi
    Nihon University College of Science & Technology Department of Electronic Engineering
  • Satoh Junpei
    Nihon University College of Science & Technology Department of Electronic Engineering
  • Takahashi Yoshihiro
    Nihon University College of Science & Technology Department of Electronic Engineering
  • Ohnishi Kazunori
    Nihon University College of Science & Technology Department of Electronic Engineering

Bibliographic Information

Other Title
  • フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定

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Description

フラッシュEEPROMの高密度化、高集積化が進んでいるが、磁気ディスクに取って代わる際の問題点として書き換え回数に伴う劣化、特に書き換えによるSi-SiO_2界面準位密度の増加が指摘されている。筆者らはフラッシュEEPROMの書き換えにともなう界面特性の変化の測定にチャージポンピング法を用いることを考慮し、各種のバイアス電圧条件下でのチャージポンピング電流を測定した。この測定から測定条件によりドレイン、ソース近傍の界面準位での電流を分離して測定できることがわかった。

Journal

Details 詳細情報について

  • CRID
    1571980077322138880
  • NII Article ID
    110003262464
  • NII Book ID
    AN10471452
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • CiNii Articles

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