アナログ回路設計に適したCMOSデバイス特性の表現法 : 動作電流によるアナログ特性の記述と応用を中心として

被引用文献3件 参考文献4件
  • 松澤 昭
    松下電器産業株式会社 半導体研究センター
  • 西村 佳寿子
    松下電器産業株式会社 半導体研究センター
  • 林 錠二
    松下電器産業株式会社 半導体研究センター
  • 下村 浩
    松下電器産業株式会社 半導体研究センター
  • 木村 博
    松下電器産業株式会社 半導体研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Expression method of CMOS device characteristics for analog circuit design : Focused on an expression of analog characteristics in operating current, and its application

この論文をさがす

説明

0.4umルールのCMOSトランジスタのgmやgdsなどのアナログ特性を実測し、この特性をアナログ回路設計に適した動作電流の関数で表記した。特に2乗特性領域においてはバイアス電流を導入することによって実際の特性を表現できることを示し、サブスレッショルド領域から2乗特性領域への遷移領域が2乗特性のβ係数を小さくすることで表現し、更に速度飽和領域におけるgm特性をIdsの関数として導出するとともに、各種動作モードの動作電流領域を示した。また、gdsがIdsの指数関数となることを示し、この結果、微細なCMOSを用いた増幅器の電流に対する利得特性が従来とは大きく異なることを示した。

収録刊行物

被引用文献 (3)*注記

もっと見る

参考文献 (4)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571980077366389120
  • NII論文ID
    110003316834
  • NII書誌ID
    AN10013276
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ