窒化ハフニウムを陰極とした電界放出電子源の作製

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タイトル別名
  • Fabrcation of field emission array with hafnium nitride cathode

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説明

遷移金属窒化物の持つ性質は冷陰極材料として望ましい。遷移金属窒化物の中でも、窒化ハフニウムは窒化タンタルとともに仕事関数が低く、電子放出材料として適当と考えられる。今回、シリコンコーンの上に窒化ハフニウム薄膜を形成し、その後、絶縁層、ゲート層を成膜、ゲート開口を形成して窒化ハフニウムを陰極とする微小電子源を作製した。また作製した電子源の電圧電流特性を測定した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572261551845697024
  • NII論文ID
    110004823311
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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