DRAMのリフレッシュ特性を改善するためのセンス技術

書誌事項

タイトル別名
  • Bit Line Sensing Technique to Improve Refresh Characteristics of DRAM

この論文をさがす

説明

64Mb以上のDRAMでは, センスアンプ面積を減らすために, 一本のビット線につながるメモリセル数は, これまでの2倍の256に増やされ始めている。しかし, メモリセル蓄積容量はほぼ一定のため, 読み出し時にビット線に現れる差電位は減少する。そこで, 読み出し時にビット線に現れる差電位が減少しても, この差電位を増幅できるようにセンスアンプの感度を高める手法を検討し, テストチップで確認を行った。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572261552298993792
  • NII論文ID
    110003266321
  • NII書誌ID
    AN10471452
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ