酸化膜中の局所的歪みおよび不純物によるトラップ生成

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タイトル別名
  • Trap Generation due to Local Distortion and Impurities in Amorphous Silicon Dioxide Film

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説明

ゲート酸化膜中の欠陥や不純物は電荷の捕獲中心になると考えられているが、個々の欠陥や不純物が電荷捕獲に果たす役割は十分には理解されていない。そこで、アモルファスSiO_2中の局所的歪みと、Siのボンドの一つを終端する形態で存在する不純物 OH、H、F、Cl について、正孔捕獲との関係、および正孔捕獲に伴う原子配置と電子状態の変化を調べるために、非経験的分子軌道法による計算を行った。その結果、以下の点が明らかになった。(1)伸びた Si-O-Siの中心の酸素は正孔を捕獲しやすい。(2)Si-O-Siの結合角の変化は正孔捕獲に大きな影響を与えない。(3)SiO_2中のClは正孔を捕獲して大きく変位し、同時にClの不純物準位の位置も大きく動く。(4)OH、Fが正孔を捕獲する可能性は小さい。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572543027326340224
  • NII論文ID
    110003309672
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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