ギガビットDRAM用分離ドライバ型センスアンプとチャージリサイクル法
書誌事項
- タイトル別名
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- A Crossing Charge Recycle Refresh Scheme with a Separated Driver Sense-Amplifier for Gb DRAMs
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説明
ギガビット級のDRAM用の回路技術として、分離ドライバ型センスアンプとチャージリサイクルリフレッシュ方式を開発した。これらの方式は、チャージ転送時間を1/11に縮めること、最大66.6%の電荷をリサイクルすることを可能にする。これらの回路技術は、主副ビット線構成を用いた低電圧駆動のDRAMに適している。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (379), 1-8, 1995-11-21
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572543027326354688
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- NII論文ID
- 110003309681
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles