ワイドギャップ半導体β-Ga2O3の遷移金属添加効果
書誌事項
- タイトル別名
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- Effect of the transition-metal ions on wide-gap semiconductor β-Ga2O3
収録刊行物
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- 千歳科学技術大学フォトニクス研究所紀要 = Bulletin of Photonics Research Center, Chitose Institute of Science and Technology
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千歳科学技術大学フォトニクス研究所紀要 = Bulletin of Photonics Research Center, Chitose Institute of Science and Technology 1 (1), 12-, 2011-03-01
千歳科学技術大学
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572543027701592320
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- NII論文ID
- 120006651489
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- Web Site
- http://id.nii.ac.jp/1337/00000585/
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles