選択ウエットエッチングによるGaAs/AlGaAs HFETの高均一化と高性能化

参考文献14件
  • 北野 俊明
    三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
  • 戸塚 正裕
    三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
  • 柏 卓夫
    三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
  • 園田 琢二
    三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

書誌事項

タイトル別名
  • High Uniformity and High Performance of GaAs/AlGaAs HFETs by Selective Wet Etching

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説明

クエン酸/アンモニア/過酸化水素から構成されるGaAsのAlGaAsに対する新しい選択エッチャントを開発した。本エッチャントのpHおよびクエン酸/H_2O_2の混合比を最適化することにより, 低Al組成のAl_<0.15>Ga_<0.85>Asに対して極めて高い選択比80を達成するとともに、GaAs異方性エッチングも実現した。このクエン酸系選択エッチャントをGaAs/AlGaAs HFETのゲートリセスに適用し、3インチウエハ面内でトレイン電流の標準偏差を3.5mA(平均値35.3mA)と良好な均一性を実現した。さらにGaAs異方性エッチングによるリセス幅低減により、ソース抵抗を従来の選択ウエットエッチャントと比較して大幅に低減でき、最小雑音指数の向上を実現した。

収録刊行物

参考文献 (14)*注記

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572824502217476736
  • NII論文ID
    110003200060
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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