An 8-Parameter Small-Signal Equivalent-Circuit Model for Intrinsic FETs

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  • 8パラメータ真性FET小信号等価回路モデル

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FET の小信号等価回路モデルは、低雑音増幅器の設計はもとより、高出力増幅器の基本設計や安定性の検討に不可欠である。今回、CaAsヘテロ接合 FET の真性部分の小信号等価回路モデルの高精度化について検討した。従来の7パラメータ・モデルのゲート・ドレイン間に、Cgdに対してシリーズに実抵抗成分 Rgd を考慮して図1に示すように8パラメークとし、シミュレーション特性に与える影響について考察した。

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  • CRID
    1572824502241619456
  • NII Article ID
    110003340830
  • NII Book ID
    AN10489017
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • CiNii Articles

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