熱酸化膜のTDDB特性における面積及び膜厚依存性

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タイトル別名
  • Area and thickness dependence of the TDDB characteristics of silicon dioxides

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説明

6.8nmと8.7nmの熱酸化膜について、摩耗故障領域におけるTDDB特性の面積依存性を評価した。その結果、摩耗故障領域における故障寿命にも面積依存性が存在し、面積が大きくなるとともに酸化膜の経時絶縁破壊時間(T_BD>)および、経時絶縁破壊電荷量(Q_BD>)は小さくなることがわかった。この現象は、摩耗故障領域での酸化膜の破壊について、面内に一様に分布するLocalizedWeak Oxide Areaで破壊で発生していると考えることによって説明できる。Localized Weak Oxide Areaの密度は、ストレス時間の増加とともに増加する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572824502298264192
  • NII論文ID
    110003310206
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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