Si 共鳴トンネリング MOS トランジスタによる多値論理回路の可能性
書誌事項
- タイトル別名
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- Feasibility of Si Resonant Tunneling MOS Transistor (SRT-MOST) to New Multi-Valued Logic Circuit
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説明
シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)による論理回路により,多値論理回路の可能性を検討した.CMOSのインバータ回路におけるN-MOSFETを二つのN-SRTOMOSの並列回路に置き換えた.出カ特性は高電位低電位のほかに二つのプラトーな領域が現れた.この結果はSRTMOSTを使った論理回路により,多値論理回路を実現できることを示すものである.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C
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電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 86 (12), 1370-1371, 2003-12-01
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573105977259644544
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- NII論文ID
- 110003172101
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- NII書誌ID
- AA11412446
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- ISSN
- 13452827
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles