K帯Siマスタスライス型3次元MMIC

参考文献16件

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タイトル別名
  • Three-dimensional Masterslice Si MMICs Operating up to K-band

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説明

MMICの低コスト化のためにSiデバイスを用いたSiMMICの開発が活発に行われている.本報告ではSiMMICの高周波化に極めて有効なSiマスタスライス型3次元MMIC技術についてその特徴及び本技術を用いて実現したK帯SiMMICについて報告する.Siマスタスライス型3次元MMICは, Si基板上に形成する接地導体により, Si基板の持つ導電性の影響を受けない低損失な伝送線路を提供し, 高周波化に有効なリアクティブ整合を可能にする.本稿で述べるK帯増幅器及びミキサは0.5μmSiバイポーラトランジスタ(fmax=30GHz)を用いている.増幅器は16GHz-18GHzで利得7dB以上, ミキサは16.5GHz-23GHzで変換損失9dB以下である.

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参考文献 (16)*注記

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573105977275079680
  • NII論文ID
    110003317113
  • NII書誌ID
    AN10013276
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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