低電圧動作におけるDRAMセンスアンプ駆動方式

参考文献3件

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タイトル別名
  • A Low Voltage Sense-Amplifier Driver for High-Speed Gb-Scale DRAMs

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説明

G-bitスケールのDRAMを想定して, 低電源電圧におけるセンスアンプ駆動方式についてSPICEシミュレーションにより検討を行った. センスアンプ活性化時のBIの制御と, センスアンプのソース電極配線と結合するキャパシタによるオーバードライプによって, Vcc=0.8[V] においてもセルデータの読み出し時間が3[ns] 以下に高速化できることを確認した. また, チャージリサイクルを用いることによって, 消費電力は従来方式の30%の増加で済むことがわかった.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573105977279773568
  • NII論文ID
    110003309648
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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