Wide Controllability of Flatband Voltage in metal/high-k gate stack using Ru-Mo alloys
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- OHMORI K.
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- CHIKYOW T.
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- HOSOI T.
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- WATANABE H.
- 大阪大学
-
- NAKAJIMA K.
- 物質・材料研究機構
-
- ADACHI T.
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-
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-
- SUGITA Y.
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- NARA Y.
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-
- OHJI Y.
- 半導体先端テクノロジーズ
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- SHIRAISHI K.
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Bibliographic Information
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- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
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Journal
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- 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会
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電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2008 (1), 3-6, 2008-05-14
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1573387450723637120
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- NII Article ID
- 10025649116
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- NII Book ID
- AN10442556
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- CiNii Articles
