GeSbTe記録層への反応ガス導入による Jitter 特性改善
書誌事項
- タイトル別名
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- Jitter improvement by reactive gas doping to GeSbTe recording layer
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説明
GeSbTe系材料を記録膜に用いた相変化ディスクは、書き換え耐久性に優れていることから、さらなる高速、高密度記録の検討が精力的に進められている。しかしGeSbTe系材料には、オーバーライト回数が1回〜約100回において再生信号のJitterが増加する現象(以後、Jitter peak)が生じる。この問題を解決するため、我々は記録層成膜時に窒素ガスを導入する検討を行ってきた。TEM観察の結果、マーク後端の歪み部分を構成する結晶の粒径が、Jitter peakの発生に関係があることが判った。また、記録層への窒素ガス導入が歪み部分結晶粒径の低下、及びJitter peakの低減に有効であるとの知見を得た。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料
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電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 98 (632), 9-14, 1999-03-04
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573668927143288576
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- NII論文ID
- 110003199372
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- NII書誌ID
- AN10012932
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles