GeSbTe記録層への反応ガス導入による Jitter 特性改善

  • 菊地 稔
    ソニー(株)RMEカンパニー リジッドディスク技術開発部
  • 高瀬 史則
    ソニー(株)RMEカンパニー リジッドディスク技術開発部
  • 秋元 義浩
    ソニー(株)RMEカンパニー リジッドディスク技術開発部
  • 斉藤 喜浩
    ソニー(株)RMEカンパニー リジッドディスク技術開発部
  • 五十嵐 修一
    ソニー(株)RMEカンパニー リジッドディスク技術開発部

書誌事項

タイトル別名
  • Jitter improvement by reactive gas doping to GeSbTe recording layer

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説明

GeSbTe系材料を記録膜に用いた相変化ディスクは、書き換え耐久性に優れていることから、さらなる高速、高密度記録の検討が精力的に進められている。しかしGeSbTe系材料には、オーバーライト回数が1回〜約100回において再生信号のJitterが増加する現象(以後、Jitter peak)が生じる。この問題を解決するため、我々は記録層成膜時に窒素ガスを導入する検討を行ってきた。TEM観察の結果、マーク後端の歪み部分を構成する結晶の粒径が、Jitter peakの発生に関係があることが判った。また、記録層への窒素ガス導入が歪み部分結晶粒径の低下、及びJitter peakの低減に有効であるとの知見を得た。

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参考文献 (3)*注記

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668927143288576
  • NII論文ID
    110003199372
  • NII書誌ID
    AN10012932
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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