BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法

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タイトル別名
  • High Voltage MOS Device Modeling with BSIM3v3 and its Parameter Extraction Technique

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説明

本論文はBSIM3v3 SPICEモデルによる、高耐圧MOSデバイスのモデル技術について報告する。標準のSPICEモデルは高耐圧MOSデバイスの電圧依存を持つR_d、R_sに対して高精度のモデルを提供しておらず、電圧-電流特性のシミュレーションと実測値との間に大きな差異を生じる。我々はオリジナルBSIM3v3のパラメータの一部に対して本来とは異なる物理的な意味合いを設定し、R_d、R_sの電圧依存を表現する技法を考案した。本技法により得たパラメータによる、高耐圧MOSデバイスの電圧-電流特性のシミュレーションと実測値とは非常に良く一致する。提案モデル技法と高耐圧MOSデバイスの動作原理との関係についても検討を行った。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668927146969216
  • NII論文ID
    110003200594
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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