InGaAsP EA変調器のパイルアップ防止層と符号誤り率特性

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タイトル別名
  • Relationship between the Layer for Preventing Pile-Up of InGaAsP EA Modulator,and Bit Error Rate Characteristics

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説明

電気吸収型(EA)光変調器は、超高速のデータ信号変調用やソリトン通信の光パルス発生用として注目されている。InGaAsP EA変調器の場合、入力光の強度が大きいとInGaAsP/InPの界面で正孔がパイルアップし、消光比や周波数応答の低下が生じることを我々は報告してきた。今回、パイルアップ防止層と疑似ランダム(PN)変調時の符号誤り率(BER)特性の関係を詳細に検討したので報告する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668927203083776
  • NII論文ID
    110003338524
  • NII書誌ID
    AN10398476
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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