CVD-TiN/Tiバリアメタルのコンタクトプラグプロセスへの応用
書誌事項
- タイトル別名
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- Application of CVD-TiN/Ti barrier layer for contact plug processes
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説明
TiCl_4-NH_3系熱CVD法を用いてTiN膜の成膜を行い, コンタクト・プラグ・プロセスに適用した. Wプラグ及びAlプラグに適用し, Si基板上, Coシリサイド上ともに良好なバリア特性を示すことが分かった. また, TiCl_4-H_2-Ar系プラズマCVD法によりTi膜の成膜も試み, 評価を行った. CVD-TiNスパッタTiの組み合わせより, CVD-TiN/CVD-Tiとの組み合わせの方がSi基板とのコンタクト抵抗に関して良好な結果が得られた. Coサリサイド上のコンタクト特性についてもCVD-TiN/CVD-Tiは良好な結果が得られた. また, サリサイド上のコンタクト特性はプラグ自体の抵抗値が無視できない影響を及ぼしてくることが分かった.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (498), 9-14, 1997-01-24
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573668927233187200
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- NII論文ID
- 110003309621
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles