昇華法によるSiCバルク単結晶成長 : SiC結晶成長技術の現状と課題
書誌事項
- タイトル別名
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- Crystal growth of silicon carbide by sublimation method : Present state and issues of technique for growing SiC crystals
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収録刊行物
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- 應用物理
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應用物理 70 (5), 569-570, 2001-05-10
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573950399486288128
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- NII論文ID
- 10009395172
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 03698009
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles
