a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)

  • 笠野 真弘
    松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
  • 稲葉 雄一
    松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
  • 森 三佳
    松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
  • 春日 繁孝
    松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
  • 村田 隆彦
    松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
  • 山口 琢己
    松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • A 2.0μm Pixel Pitch MOS Image Sensor with an Amorphous Si Film Color Filter

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説明

検出回路アンプの4画素共有化技術と新規駆動方式により、1画素あたりのトランジスタ数1.5個を実現し、0.15μmの微細設計ルールを採用することで、約40%の配線面積の削減を実現した。さらに、アモルファスシリコン(a-Si)からなるカラーフィルタを開発し、有機顔料カラーフィルタに比べ1/10の薄型化を達成し、高集光率を実現した。結果として、30%の開口率を有する2.0μm画素サイズMOSイメージセンサを実現した。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573950401834902272
  • NII論文ID
    110002703917
  • NII書誌ID
    AA11451459
  • ISSN
    09196072
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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