コレクタアップHBTの遮断周波数特性に与えるキャリアブロッキング効果と表面準位効果の2次元解析

参考文献15件

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タイトル別名
  • Two-Dimensional Analysis of Carrier-Blocking Effects and Surface-State Effects on Cutoff Frequency Characteristics of Collector-Up HBTs

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説明

AlGaAs/GaAsコレクタアップHBTの遮断周波数(f_T)特性の2次元シミュレーションを行い, いわばキャリアブロッキング効果によるf_Tの劣化現象について検討した. その結果, べース電極を真性コレクタに近づけることによりブロックされたキャリアが吸収されf_Tの劣化を抑制できることがわかった. ただし, ペース電流増大による増幅率の劣化を伴う. また, 表面準位の存在がf_Tに与える影響を調べた. その結果, 表面準位層にキャリアが流れ込むことに起因したキャリア蓄積現象を生じ, べース遅延時間の増大, f_Tの著しい劣化を招くことがわかった. これらの現象を避け高いf_Tと増幅率を維持するには, コレクタ幅をエミッタ幅よりかなり広くとる必要があることがわかった.

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参考文献 (15)*注記

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573950402120630400
  • NII論文ID
    110003199888
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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