高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程

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タイトル別名
  • Thermal decomposition of MOVPE-grown-GaN films at high temperature

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説明

MOVPE法により成長させたGaN薄膜において、(1)H_2とNH_3, (2)N_2とNH_3, (3)N_2のみのそれぞれ異なった混合気体雰囲気中で、800℃から1100℃の高温で熱処理を行うことによりGaNの熱分解過程を明らかにした。これにより、N_2を供給しない(1)の混合気体雰囲気中の場合GaN薄膜の熱分解過程は900℃以上で顕著に見られ、また気相全体中の窒素分圧を増加させることによってGaNの熱分解を抑えることができることを示し、GaNに熱分解過程における強い温度依存性と窒素分圧依存性を明らかにした。また、この熱分解過程を利用することによってGaNの新しいエッチング技術に応用できることを示した。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573950402123313408
  • NII論文ID
    110003200162
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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