Reliability of an All-MOCVD Grown 1.48μm High Power Laser Diode

  • Nishimura T.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
  • Yoshida K.
    Kitaitami Works, Mitsubishi Electric Corp.
  • Tanigami Y.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
  • Shigihara K.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
  • Takemi M.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
  • Matsumoto K.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
  • Kadowaki T.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
  • Omura E.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
  • Aiga M.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
  • Ohtubo M.
    Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.

Bibliographic Information

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  • 全MOCVD成長による1.48μm帯高出力レーザの信頼性

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Description

1.48μm帯のレーザを用いたエルビウム(Er)ドープ光ファイバ増幅器(EDFA)の実用化が進んでいる。一方、今後の情報量増加に対応しWDMによる幹線系伝送の大容量化を図るためには波長の多重度に合わせた励起光源の高出力化が不可欠となってくる。我々は、長波長レーザの基本構造をLPE法を用いたPPIBH構造(P-substrate Partialy Inverted Burled Heterostructure)から全気相成長によるLD構造、FSBH-LD(Facet Selective-growth Buried Heterostructure Laser Diode)に変えることによってその特性改善を進めてきた。しかし、信頼性については、通常のLPE法では埋め込み成長の際に、再成長界面はメルトバックによって自然に清浄化されることが期待されるため、結晶学的にはほぼ理想的な再成長ができると考えられるのに対し、全MOCVD型LDでは再成長界面でのメルトバックがないために、再成長界面でのリーク電流の増加など信頼性の点では不利であると思われる。今回は、特にLPE法では制御性に難があった無効電流の通路をMOCVDで埋込むことにより出来る限り狭め、出力特性を改善するとともにその信頼性の向上を図ったのでその結果を報告する。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1573950402179931136
  • NII Article ID
    110003338661
  • NII Book ID
    AN10398476
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • CiNii Articles

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