低電圧DRAMの昇圧電位発生回路構成
書誌事項
- タイトル別名
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- An Efficient Charge Recycle and Transfer Pump Circuit for Low Operating Voltage DRAMs
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説明
電池駆動の携帯機器の急速な発展に伴い, DRAMの低電圧化が重要な技術課題となってきている. 今回, 電源電圧1.2VのDRAMに適した昇圧電位 (Vpp) の構成について検討するとともに, 低電圧動作に適した2種類のVpp発生回路を提案する. チャージトランスファーポンプ (CTポンプ) は2・Vcc以上の電位のVpp電荷を効率的に生成することを可能とする. チャージリサイクルポンプ (CRポンプ) は, 電荷を再利用することで, ポンプが生成するVpp電荷の減少なしにポンプの消費電力低減を可能とする. 以上のVpp構成と新規ポンプ回路を1.2VのDRAMに適用することで, Vppポンプの消費電力を従来より46%削減出来るという結果を得た.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (225), 15-20, 1996-08-22
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1574231877186603136
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- NII論文ID
- 110003309650
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles