大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
書誌事項
- タイトル別名
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- Noise Suppression Scheme for Giga-Scale DRAM with Hundreds of I/Os
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説明
DRAMの超高密度, 超高バンド幅化に伴って, 寄生インダクタンス起因の電源ノイズ (逆相, 同相ノイズ) が深刻な問題となってきた. 本論文では, 第1に, LSI内部の消費電流ピークにもかかわらず, 外部電源Pinの電流をほぼ一定に保つ事が出来る「定電流降圧回路」を提案している. 逆相電源ノイズを1/5に低減出来る. 第2に, 出力データを部分的に反転することにより, 同相ノイズを1/4〜1/8に低減出来る「部分反転データBUS方式」を提案している. 16〜32GB/sの超高バンド幅を実現出来る.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (225), 43-49, 1996-08-22
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1574231877186608896
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- NII論文ID
- 110003309654
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles