微細CMOSの高周波分野への応用

参考文献14件

書誌事項

タイトル別名
  • Advanced 0.1μm CMOS for RF Application

この論文をさがす

説明

微細化によるCMOSデバイスの高性能化により、MOSの高周波特性が大きく向上することが期待されている。ここでは、薄膜SOIを用いることで、低ノイズ特性(NF=0.8dB)を持ったMOSFET、および、自己共振周波数19.6GHzを持ったサスベンデッド・インダクタを得られたことを報告する。これにより2GHz帯の無線通信に用いられるデバイスが、従来のシリコンプロセスで実現できることを示す。
Modem SOI technology and 0.1μm channel length CMOS devices make it possible to fabricate high-performance RF devices by using standard Si ULSI processes. We demonstrated that suspended inductors and 0.1-μm CMOS devices can be integrated on an SOI wafer having a cavity beneath the devices. A high inductor resonance frequency of 19.6 GHz and a 0.1-μm SOI-NMOS noise figure as low as 0.8 dB at 2GHz were obtained, both surpassing the performance of presently available mobile telecommunication GaAs MESFETs.

収録刊行物

参考文献 (14)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1574231877186614144
  • NII論文ID
    110003309647
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    en
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ