Strain Effect in Highly‐Doped n‐Type 3C‐SiC‐on‐Glass Substrate for Mechanical Sensors and Mobility Enhancement (Phys. Status Solidi A 24∕2018)

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  • CRID
    1870865117903535488
  • DOI
    10.1002/pssa.201870054
  • ISSN
    18626319
    18626300
  • データソース種別
    • OpenAIRE

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