Carrier Concentration Dependence of Ultrasonic Attenuation in Piezoelectric Semiconductors

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The carrier concentration dependences of the attenuation and sound velocity of longitudinal ultrasonic waves are investigated theoretically in piezoelectric semiconductors. The theory can be applied to any case where the electron mean free path is smaller than the acoustic wavelength or not, since the dielectric response function with a finite electron lifetime is used. Results are in good qualitative agreement with experiments. Die Tragerkonzentrationsabhangigkeiten der Dampfung und Schallgeschwindigkeit von longitudinalen Ultraschallwellen werden in piezoelektrischen Halbleitern theoretisch untersucht. Die Theorie kann auf Falle, fur die die mittlere freie Weglange der Elektronen kleiner oder groser als die akustische Wellenlange ist, angewendet werden, da eine dielektrische Responsefunktion mit endlicher Elektronenlebensdauer verwendet wird. Die Schlusfolgerungen befinden sich in guter qualitativer Ubereinstimmung mit den Experimenten.

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