Buffer layer effects on properties of ZnTe for terahertz device application

Yaliu Ding, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Tooru Tanaka, Yoshiki Kadoguchi, Masanori Hangyo, Masahiko Tani, Yuki Nakao

doi:10.1109/cleopr.2009.5292429

【2025年5月12日更新】CiNii Dissertations及びCiNii BooksのCiNii Researchへの統合について
CiNii Researchナレッジグラフ検索機能（試行版）をCiNii Labsにて公開しました
日経BP社提供データの更新停止及び削除について
「研究データ」「根拠データ」の収録について
CiNii Booksの機能に関するアンケートを実施中です（期間：2025年6月9日(月)から2025年6月27日(金)まで）

Buffer layer effects on properties of ZnTe for terahertz device application

DOI

Yaliu Ding
Qixin Guo
Mitsuhiro Nishio
Tooru Tanaka
Yoshiki Kadoguchi
Masanori Hangyo
Masahiko Tani
Yuki Nakao

説明

The influence of ZnTe low-temperatre buffer layer on crystal quality and surface morphology of ZnTe layers grown on (0001) sapphire substrates by metaloganic vapor phase epitaxy was investigated. It was found that both the crystal quality and surface morphology of the ZnTe layers can be improved by introduing the buffer layer with a suitable thichness between the epilayer and the substrate.