Contrast formation mechanism around the cell walls in equi-lattice-spacing mapping X-ray topographs for an undoped GaAs crystal

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Contrast formation mechanism around the cell walls in equi-lattice-spacing mapping X-ray topographs for an undoped GaAs wafer is analyzed in the reciprocal space. Reversal of contrast between the cell interiors and the cell walls is explained by considering the different formation mechanisms, due to the dynamical diffraction and the kinematical diffraction. Der Kontrastbildungsmechanismus um die Zellenwande in mit gleichen Abstanden gerasterten Rontgen-Topographien fur undotierte GaAs-Wafer wird im reziproken Raum analysiert. Kontrastumkehr zwischen dem Zelleninneren und den Zellwanden wird durch Berucksichtigung der unterschiedlichen Bildungsmechanismen infolge der dynamischen und kinematischen Beugung erklart.

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