SiC MOSFETにおける短チャネル効果と移動度向上に関する研究
書誌事項
- タイトル
- SiC MOSFETにおける短チャネル効果と移動度向上に関する研究
- タイトル別名
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- Short Channel Effects and Mobility Improvement in SiC MOSFETs
- 著者
- 立木, 馨大
- 著者別名
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- Tachiki, Keita
- タチキ, ケイタ
- 学位授与大学
- 京都大学
- 取得学位
- 博士(工学)
- 学位授与番号
- 甲第23905号
- 学位授与年月日
- 2022-03-23
説明
付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1910302385672310016
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- NII論文ID
- 500001498792
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- HANDLE
- 2433/275227
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- Web Site
- https://dl.ndl.go.jp/pid/13802885
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- 本文言語コード
- en
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- データソース種別
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- IRDB
- NDLサーチ