Electrotransport Properties of p-ZnSnAs2 Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on Semi-insulating (001) InP Substrates

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タイトル
Electrotransport Properties of p-ZnSnAs2 Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on Semi-insulating (001) InP Substrates
著者
J.T. Asubar,

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詳細情報

  • CRID
    1010000782474949916
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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