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Pendio epitaxial growth of 3C-SiC on Si substrates

書誌事項

タイトル
Pendio epitaxial growth of 3C-SiC on Si substrates
著者
A.Shoji, M.Nakamura, K.Mitikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino

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詳細情報

  • CRID
    1010282256781784971
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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