High Performance Poly-Si Device with Thin Gate Oxide Film Grown by Plasma Oxidation Technology

書誌事項

タイトル
High Performance Poly-Si Device with Thin Gate Oxide Film Grown by Plasma Oxidation Technology
著者
F.Imaizumi, T.Hayashi, K.Ishii, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi

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詳細情報

  • CRID
    1010282256782080137
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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