本研究では、集積化に適した量子ビットとして、スピン軌道相互作用を利用した半導体スピン量子ビットに着目し、その基盤技術の開発に取り組む。まず、強いスピン軌道相互作用を示す材料を用いて、集積化に適したゲート制御量子ドットの作製手法を確立する。次に、スピン軌道相互作用を用いたスピン量子ビット高速操作、およびｇ因子のゲート電圧制御による共鳴周波数の精密制御手法の開発に取り組む。これらの技術を組み合わせることで、大規模集積化可能なスピン量子ビットデバイスの実現を目指す。
