2次元X線回折法による有機半導体薄膜生成過程のIn-situ構造解析

研究課題情報

体系的番号
JP15K04647 (JGN)
助成事業
科学研究費助成事業
資金配分機関情報
日本学術振興会(JSPS)

科研費情報

研究課題/領域番号
15K04647
研究種目
基盤研究(C)
配分区分
  • 基金
審査区分/研究分野
  • 理工系 > 総合理工 > 応用物理学 > 応用物性
研究機関
  • 岩手大学
研究期間 (年度)
2015-04-01 〜 2018-03-31
研究課題ステータス
完了
配分額*注記
4,940,000 円 (直接経費: 3,800,000 円 間接経費: 1,140,000 円)

研究概要

異なるアルキル鎖長を持つα,ω-クオターチオフェンを合成し,アルキル鎖長が薄膜の結晶成長に及ぼす効果を明らかにすることを目的として、放射光を用いた2次元すれすれ入射X線回折(2D-GIXD)実験を行った。試料としてアルキル基をもつCn-4T (n=0, 4~12) を合成し,SPring-8,BL19B2 で薄膜形成過程のリアルタイム2D-GIXD 測定を行った。明瞭なX 線回折パターンが観測され、この回折パターンの解析によって,薄膜結晶の格子定数を決定した。その結果、Cn-4T は、結晶構造に関し、C4~C9までとC10以降の2つのグループに分類できることが判明した。

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