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Elucidation of malfunction mechanisms occurring during switching periods of SiC devices
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- Hiraki Eiji
- Principal Investigator
- 岡山大学
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- 梅谷 和弘
- Co-Investigator
- 岡山大学
About This Project
- Japan Grant Number
- JP19K04351 (JGN)
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding Organization
- Japan Society for the Promotion of Science
Kakenhi Information
- Project/Area Number
- 19K04351
- Research Category
- Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Allocation Type
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- Multi-year Fund
- Review Section / Research Field
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- Basic Section 21010:Power engineering-related
- Research Institution
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- Okayama University
- Project Period (FY)
- 2019-04-01 〜 2023-03-31
- Project Status
- Completed
- Budget Amount*help
- 4,550,000 Yen (Direct Cost: 3,500,000 Yen Indirect Cost: 1,050,000 Yen)
Research Abstract
SiCベースの次世代半導体パワーデバイスは自ら の高速スイッチング動作が引き起こすスイッチングノイズにより誤動作が発生しやすいと いう欠点を有しており,SiCパワーデバイスの普及に向けた大きな足枷となっている。 本研究は,誤動作のメカニ ズムを分析し,その対策方法を解明する。さらに,実際の電力変換器に本研究で確立した対策 方法を搭載可能にするための回路実装技術を確立する。
Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1040282256994183424
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- KAKEN